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所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，可以用刚才演示用的示教板电路。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。 关于转换电流变化率 当负载电流增大，电源频率的增高或电源为非正弦波时，会使转换电流变化率变高，这种情况最易在感性负载的情况下发生，很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。全球品牌，我们共同拥有！IGBT模块FS50R12KE3

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了 的应用。 可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。IGBT模块FF900R12IP4D客户遍全球，服务达天下！

可控硅这种通过触发信号（小的触发电流）来控制导通（可控硅中通过大电流）的可控特性，正是它区别于普通硅整流二极管的重要特征。 普通可控硅的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结（a），相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，可以用刚才演示用的示教板电路。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。

IT(AV)--通态平均电流 VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流 ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流 VTM--通态峰值电压 IGT--门极触发电流 VGT--门极触发电压 IH--维持电流 dv/dt--断态电压临界上升率 di/dt--通态电流临界上升率 Rthjc--结壳热阻 ⅥSO--模块绝缘电压 Tjm--额定结温 VDRM--断态重复峰值电压 IRRM--反向重复峰值电流 IF(AV)--正向平均电流 PGM--门极峰值功率 PG----门极平均功率 关于转换电压变化率 当驱动一个大的电感性负载时，在负载电压和电流间有一个很大的相移。当负载电流过零时，双向可控硅(晶闸管)开始换向，但由于相移的关系，电压将不会是零。所以要求可控硅(晶闸管)要迅速关断这个电压。如果这时换向电压的变化超过允许值时，就没有足够的时间使结间的电荷释放掉，而被迫使双向可控硅(晶闸管)回到导通状态。英飞凌IGBT模块，全新原装，优良品质。

在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。 1：小功率塑封双向可控硅通常用作声光控灯光系统。额定电流：IA小于2A。 2：大；中功率塑封和铁封可控硅通常用作功率型可控调压电路。像可调压输出直流电源等等。 3：大功率高频可控硅通常用作工业中；高频熔炼炉等。萱鸿科技，创造世界最精良、最有创新性的产品。IGBT模块F3L75R12W1H3_B27

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可控硅开关

  （四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。

  （五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。

  （六）过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。

  （七）非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。 IGBT模块FS50R12KE3

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