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（2）、比较高反向工作电压:加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了比较高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。

（3）、比较大整流电流:是指二极管长期连续工作时允许通过的比较大正向电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管比较大整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。

（4） .动态电阻Rd：二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。

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2、反向特性：二极管外加反向偏置电压时的V-I特性

P型半导体中的少数载流子（电子）和N型半导体中的少数载流子（空穴），在反向电压作用下很容易通过PN结， 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少， 所以， 一般硅管的反向电流比锗管小得多，其数量级为：硅管nA级，锗管大mA级。

温度升高时，由于少数载流子增加，反向电流将随之急剧增加。

3、反向击穿特性：二极管击穿时的V-I特性

当增加反向电压时， 因在一定温度条件下， 少数载流子数目有限，故起始一段反向电流没有多大变化，当反向电压增加到一定大小时，反向电流剧增，这叫做二极管的反向击穿， 对应于第③段，其原因与PN结击穿相同。

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比较高工作频率：比较高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以比较高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。

 比较大整流电流：比较大整流电流是指二极管长期连续工作时，允许通过的比较大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141℃左右，锗管为90℃左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管比较大整流电流值。

 比较高反向工作电压：加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了比较高反向工作电压值。

发光二极管在很多领域得到普遍应用，下面介绍几点其主要应用：

（1）电子用品中的应用：发光二极管在电子用品中一般用作屏背光源或作显示、照明应用。从大型的液晶电视、电脑显示屏到媒体播放器MP3、MP4以及手机等的显示屏都将发光二极管用作屏背光源。

（2）汽车以及大型机械中的应用：发光二极管在汽车以及大型机械中得到广泛应用。汽车以及大型机械设备中的方向灯、车内照明、机械设备仪表照明、大前灯、转向灯、刹车灯、尾灯等都运用了发光二极管。主要是因为发光二极管的响应快、使用寿命长（一般发光二极管的寿命比汽车以及大型机械寿命长）。

用芯，真芯，细芯，精芯，诚芯。

特性参数：

用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。

反向特性：外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。 客户遍全球，服务达天下！河南官方IR二极管模块诚信合作

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伏安特性：二极管具有单向导电性，二极管的伏安特性曲线。在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按**规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示 。对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏 。河南官方IR二极管模块诚信合作

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